เทคโนโลยี RFID เป็นเครื่องมืออันทรงพลังสำหรับการจัดการตรวจสอบย้อนกลับของแบตเตอรี่ลิเธียม

ด้วยความนิยมของรถยนต์ไฟฟ้า ผู้คนจำนวนมากขึ้นจึงให้ความสนใจกับการพัฒนาเทคโนโลยีแบตเตอรี่ การเปิดตัวแบตเตอรี่ลิเธียมถือเป็นความก้าวหน้าครั้งสำคัญในเทคโนโลยีแบตเตอรี่ในอนาคต การเกิดขึ้นของแบตเตอรี่นี้ไม่เพียงแต่ตอบโจทย์ผู้บริโภค' ความต้องการประสิทธิภาพของยานพาหนะและประสิทธิภาพในการชาร์จ แต่ยังช่วยเพิ่มโอกาสทางการตลาดและการตลาดสำหรับอุตสาหกรรมแบตเตอรี่อีกด้วย

    ความจุภายในและความหนาแน่นของพลังงานของแบตเตอรี่ลิเธียมเพิ่มขึ้น เมื่อเทียบกับแบตเตอรี่แบบเดิม ความจุเซลล์เดียวเพิ่มขึ้น 5 เท่า และความหนาแน่นของพลังงานเพิ่มขึ้น 16% แบตเตอรี่ประเภทใหม่นี้ยังใช้การออกแบบโครงสร้างอินเทอร์เฟซใหม่ เทคโนโลยีซิลิคอนแอโนด และเทคโนโลยีใหม่อื่นๆ เพื่อปรับปรุงความหนาแน่นของพลังงานและอายุการใช้งานของแบตเตอรี่ และยืดอายุการใช้งานของแบตเตอรี่ ด้วยการใช้แบตเตอรี่ลิเธียม ระยะการล่องเรือของยานพาหนะไฟฟ้าจะดีขึ้นอย่างมาก แบตเตอรี่นี้ไม่เพียงแต่สามารถใช้ได้ในยานพาหนะไฟฟ้าเท่านั้น แต่ยังสามารถส่งเสริมในด้านการจัดเก็บพลังงาน ซึ่งเป็นโซลูชันการจัดเก็บพลังงานที่เชื่อถือได้มากขึ้นสำหรับอุตสาหกรรมพลังงานหมุนเวียน - มันจะเป็นเทรนด์ใหม่ในอุตสาหกรรมแบตเตอรี่ลิเธียม อย่างไรก็ตาม แบตเตอรี่ลิเธียมยังประสบปัญหาในการตรวจสอบย้อนกลับในอุตสาหกรรมแบตเตอรี่ลิเธียมอีกด้วย วิธีการแบบดั้งเดิม เช่น รหัส QR และบาร์โค้ด มีแนวโน้มที่จะเกิดปัญหาต่างๆ มากมาย ซึ่งนำไปสู่ความล้มเหลวในการอ่าน และไม่สามารถทนต่อการกัดกร่อน เช่น คราบน้ำมัน ในระหว่างกระบวนการแปรรูปได้

    ดังนั้นถ้วยแบตเตอรี่จึงเปิดตัวหนึ่งถ้วยมีรหัสเดียวเพื่อหลีกเลี่ยงปัญหาการอ่านล้มเหลว ด้วยการอ่านด้วยเครื่องอ่านบัตร RFID กระบวนการผลิตจะถูกบันทึกแบบเรียลไทม์และเชื่อมโยงกับฐานข้อมูลการผลิต ช่วยให้มั่นใจในการตรวจสอบย้อนกลับของกระบวนการผลิตและปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิตและคุณภาพของผลิตภัณฑ์ แท็ก RFID ยังสามารถใช้เพื่อบันทึกวันที่ผลิต ชุดการผลิต วัตถุดิบ และข้อมูลอื่นๆ ของแบตเตอรี่ลิเธียม เพื่ออำนวยความสะดวกในการตรวจสอบย้อนกลับและการเรียกคืนคุณภาพ แก้ไขปัญหาการตรวจสอบย้อนกลับในอุตสาหกรรมแบตเตอรี่ลิเธียม

แท็กถ้วยแบตเตอรี่ 4680 ใช้วัสดุคริสตัลเฟอร์โรอิเล็กทริก (เทคโนโลยีเฟอร์โรอิเล็กทริก FRAM) และมีคุณลักษณะของทั้งหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (RAM) และหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือน:

(1) สามารถอ่านและเขียนระหว่างการเคลื่อนไหวด้วยความเร็วสูงได้

(2) ด้วยการอ่านและเขียนไม่จำกัด หน่วยความจำความจุขนาดใหญ่

(3) รองรับโปรโตคอลความถี่สูง 13.56MHZ และ ISO15693